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    行業資訊

    國內存儲芯片廠商發展迅速,卻難以撼動三星、英特爾等海外企業的市場地位

    作者:本站   發布時間:2021-12-07 16:08:07   瀏覽量:0

    國內存儲芯片廠商發展迅速,卻難以撼動三星、英特爾等海外企業的市場地位




    “5G帶動半導體需求增加,加上地緣政治和疫情驅動恐慌性備貨,晶圓代工產能供不應求的情況依然存在?!苯?,在TrendForce集邦咨詢主辦的MTS2022存儲產業趨勢峰會上,集邦咨詢分析師喬安表示。



    TrendForce集邦咨詢預估,在歷經連續兩年的芯片荒后,晶圓代工廠宣布擴建的產能將陸續在2022年釋放,且新增產能集中在40nm及28nm制程。不過,由于新增產能的產出時間點落在2022下半年,正值傳統旺季,在供應鏈積極為年底節慶備貨的前提下,產能紓解的現象可能并不明顯。




    今年以來,中國存儲芯片廠商發展迅速。中信證券在研報中稱,長江存儲、華虹集團、中芯國際、長鑫存儲等晶圓廠積極擴產,驅動國內半導體設備市場增速兩倍于全球市場。



    盡管如此,在全球行業競爭格局上,眼下中國芯片廠商依然難以撼動三星、英特爾等海外企業的市場地位。



    中國廠商加速擴產



    存儲芯片應用領域廣泛,常見的電子設備基本都需使用存儲芯片,從存儲芯片細分產品來看,DRAM和NAND Flash占據了存儲芯片95%以上的市場份額。



    中國是全球存儲芯片最大市場。據報道,中國一年3000億美元的芯片進口額中,有超過800億美元為采購內存芯片,包括DRAM芯片和NAND Flash芯片。



    在國際競爭格局上,存儲芯片長期被韓、日、美等國企業壟斷。其中在DRAM領域,三星、SK海力士及美光占據主導地位。



    集邦咨詢報告顯示,2021年第三季度全球DRAM市占率方面,三星以44%位居第一;SK海力士在出貨減少的情況下略微縮減至27.2%,而美光小幅上升至22.9%,上述三大巨頭的市場占有率總計超過94%。



    NAND Flash領域,三星、鎧俠、西部數據、美光、海力士、英特爾為行業龍頭。據民生證券7月統計,中國是全球第二大NAND Flash市場,占比超過31%,但本土供應市占率不足1%。




    11月18日,時創意董事長倪黃忠在接受媒體采訪時表示,中國存儲芯片行業起步較晚,此前,在DRAM和NAND Flash領域均沒有國內廠商,近年來,以長江存儲、長鑫存儲為代表的國內龍頭廠商開始崛起。



    “作為閃存行業的新人,長江存儲用三年時間實現了從32層到64層再到128層的跨越?!遍L江存儲市場與銷售高級副總裁龔翊表示,去年4月,長江存儲宣布128層QLC 3D NAND閃存研發成功。



    中信證券在研報中稱,長江存儲是國內3D NAND Flash存儲器頭部廠商,一期項目于2019年產能達到2萬片/月,2020年擴產至5萬片/月以上水平,預計一期項目未來將達到10萬片/月產能,另外二期土建已于2020年6月開工,兩期產能規劃共30萬片/月。



    長鑫存儲作為國內DRAM存儲器龍頭,三期總產能規劃37.5萬片/月。中信證券預計,其產能將從2021年初4萬片/月擴張至2022-2023年12.5萬片/月,同時,2022-2023年有望啟動二期建設(12.5萬片/月)。



    國產芯片向高端進階



    對存儲廠商而言,跑得夠不夠快是一個需要持續思考的問題。



    以DRAM為例,由于DRAM的制程微縮已經逐漸面臨物理極限,在20nm制程以后,除了美光(Micron)1αnm仍有近30%的單晶圓位元增長外,其他從1Xnm轉至1Ynm、或者1Ynm轉至1Znm制程,增長率已收縮至15%以內。



    華存電子技術總工程師魏智汎表示,近幾年,國內外企業級存儲主控芯片市場發展迅速,競爭激烈,華存電子不僅要面對英特爾、三星、美光等閃存原廠,還要面對美滿電子、Microsemi等傳統主控大廠的競爭。



    國產存儲芯片必須從低端向高端進階。東芯半導體副總經理陳磊表示,作為本土芯片供應商,東芯半導體目前40%以上的員工都是研發工程師,通過自主的產品設計,以及與國內晶圓廠和封裝測試廠的合作,已經打造出一條本土供應鏈體系。



    在市場層面,5G、汽車電子、可穿戴設備、物聯網等新興產業及新興市場,給存儲芯片帶來旺盛需求,也對產品性能提出新要求,包括精進工藝制程、提升產品可靠性、縮小封裝尺寸等,促使產品快速迭代。



    這也對整個產業鏈提出新要求。倪黃忠表示,1.0時代,模組廠商只能做一些簡單的加工測試,開發能力較弱,產品以Micro SD卡、U盤等為主;2.0時代,模組廠商成為產品和技術的跟隨者,在行業內有一定知名度,但銷售依然難突破;步入3.0時代,模組廠商要從芯片硬件到軟件、固件的開發,延展到系統級開發以及整個設備自動化產線進行改造,有全面的技術開發能力。




    “雖然摩爾定律在半導體的很多領域受到了挑戰,但在閃存這個領域還在繼續發揮作用?!蔽鞑繑祿笨偛眉嬷袊鴧^業務總經理劉鋼介紹,摩爾定律作用下,閃存密度和性能迅速提高,資本效率也大幅增加。



    劉鋼分析,摩爾定律在閃存領域有三個維度可以發揮作用:一是線寬,在同一層中橫向提高密度;二是堆疊,在縱向上發展;三是在同一單元里通過改變邏輯單元的設定,從原來的SLC(Single-Level Cell,單層式存儲單元)到MLC(Multi-Level Cell,雙層式存儲單元)、TLC(Trinary-Level Cell,三層式存儲單元)、QLC(Quad-Level Cell,四層式存儲單元),在每個單元都可以增長。



    雖然,當前存儲芯片市場主要由海外巨頭公司掌握,國產公司處于相對落后狀態,但國產存儲芯片已在各個細分行業展開追趕,并獲得顯著進展?!氨就链鎯S商正奮起直追,企業之間形成了密切且相互依存的產業生態鏈,國產替代正當時?!标惱诒硎?。



    Q4起存儲芯片需求降低,價格變化大嗎?



    近日,存儲器大廠美光科技表示,存儲芯片需求未來幾個月將會降低,NAND和DRAM存儲器芯片短期內出貨會持續下滑。



    理由是部分個人電腦客戶因為非存儲器芯片的短缺,調整對存儲器及儲存裝置的采購,導致本季度DRAM及NAND Flash位元出貨量降低,預期調整會在未來幾個月大致獲得解決。



    稍早之前,據市場研究機構TrendForce發布的調查顯示,第三季生產旺季后,DRAM的供過于求比例于第四季開始升高。除了供應商庫存水位仍屬相對健康外,基本上各終端產品客戶手中的DRAM庫存已超過安全水位,此將削弱后續的備貨意愿。



    因此,機構預計第四季DRAM均價將開始走跌,而部分庫存量過高的產品單季跌幅不排除會超過5%,整體DRAM均價跌幅為3~8%。



    NAND Flash第四季度同樣面臨報價轉跌的情況,集邦咨詢表示,智能手機、Chromebook與電視等消費性產品今年下半年出貨表現不如預期,零售端的存儲卡、U盤等產品需求持續低迷,僅數據中心及企業端客戶有較強的需求支撐。



    整體而言,采購端的庫存水位正逐漸上升,并壓抑后續的采購力道,NAND Flash控制器IC缺貨的狀況亦隨需求下降逐步緩解,因此,第四季NAND Flash報價將開始轉跌,整體合約價將小跌0~5%。




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